Kvůli technickým potížím budeme všechny objednávky expedovat až od pondělí 28.11. Zároveň vyhlašujeme Cyber Week se slevou 20 % na všechno vyjma filamentů a to až do konce listopadu. Během objednávky použijte slevový kupón Cyber Week.

N-mosfet FQP30N06L

 
 
Dostupnost Skladem (238 ks)
22 Kč    
Kód produktu 1051
Kategorie Tranzistory
 

FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id): @ 25°C 32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max): @ Vgs 20nC @ 5V
Vgss (Max): ±20V
VGS(th) Gate Threshold Voltage ID = 250 μA 2.0 - 4.0 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 25V
FET Feature
Power Dissipation (Max) : 79W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220-3

Vdss 60V
Vgs(th) 2V
Vgss 20V
Id (?) 16A@10V

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole:

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Přidat hodnocení
Nevyplňujte toto pole: