N-mosfet FQP30N06
Popis
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id): @ 25°C 32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max): @ Vgs 20nC @ 5V
Vgss (Max): ±20V
VGS(th) Gate Threshold Voltage ID = 250 μA 2.0 - 4.0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 25V
FET Feature
Power Dissipation (Max) : 79W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220-3
| Vdss | 60V |
| Vgs(th) | 2V |
| Vgss | 20V |
| Id (?) | 16A@10V |
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.