N-mosfet DMG4800LK3

Neohodnoceno
 
 

FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id): @ 25°C 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8,7nC @ 5V
Vgs (Max): ±25V
VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.8 - 1.6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
FET Feature
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252-3

Dostupnost Momentálně nedostupné
12 Kč

Parametry

Kód produktu 38703
Kategorie Tranzistory
Položka byla vyprodána...
 

Popis

Vdss 30V
Vgs(th) 1,6V
Vgss 25V
Id (?) 10A@10V

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole:

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Přidat hodnocení
Nevyplňujte toto pole: